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LMG3422R050 GaN FET

光大彩票网址导航符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准

带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET

集成高精度栅极偏置电压

200V/ns CMTI

3.6MHz 开关频率

光大彩票网址导航20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI

在 7.5V 至 18V 电源下工作

LMG3422R050GaN FET

LMG3422R050 600V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET


1、LMG3422R050 GaN FET的特性

• 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准

• 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET

– 集成高精度栅极偏置电压

– 200V/ns CMTI

– 3.6MHz 开关频率

– 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI

– 在 7.5V 至 18V 电源下工作

• 强大的保护

– 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护

– 硬开关时可承受 720V 浪涌

– 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护

• 高级电源管理

– 数字温度 PWM 输出

– 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗


2、LMG3422R050 GaN FET的应用

• 高密度工业电源

• 光伏逆变器和工业电机驱动器

• 不间断电源

• 商用网络和服务器 PSU

• 商用电信整流器


3、LMG3422R050 GaN FET的说明

LMG342xR050 GaN FET具有集成式驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能 。

LMG3425R050 包含理想二极管模式,该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和UVLO监控。


标签:GaN FE
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